Samsung crea chips de memoria siete veces más rápidos que los GDDR5

   MADRID, 20 Ene. (Portaltic) -

   Samsung ha anunciado que sus nuevos chips de memoria serán siete veces más rápidos y tendrán el doble de ancho de banda por vatio que los chips GDDR5. La compañía surcoreana, que también será la encargada de fabricar en exclusiva el Snapdragon 820 de Qualcomm, ha asegurado que la producción de las futuras memorias ya ha comenzado.

   Samsung trabaja para crear una nueva generación de chips para gráficos y servidores, de ahí la importancia de estas memorias. Los chips serán capaces de dar una velocidad de hasta 256 GB, o lo que es lo mismo, serán siete veces más rápidos y con el doble de ancho de banda por vatio que los chips GDDR5.

   La nueva solución HBM de Samsung (segunda generación de la interfaz High Bandwidth Memory creada por AMD con un diseño 3D) ofrecerá un rendimiento sin precedentes. Eficiencia y ahorro de energía que harán las delicias de empresas como Nvidia y AMD.

   "Mediante la producción de la próxima generación HBM2 DRAM podemos contribuir en mayor medida a la adopción de los sistemas HPC de próxima generación", afirmó el vicepresidente de Marketing Memory de Samsung Electronics, Sewon Chun.

   Los nuevos módulos HBM2 se basan en la tecnología de producción de 20 nanómetros y su principal nicho son los servidores y las tarjetas gráficas.

   Para finales de este mismo año Samsung prevé comercializar módulos de 8G, además de los de 4G.