IBM y Samsung presentan un diseño de apilamiento de transistores que ayudará a superar la tecnología de nanohojas

   MADRID, 13 Dic. (Portaltic/EP) -

IBM y Samsung han desarrollado un nuevo diseño para el apilamiento de los transistores en chips como procesadores y los sistemas en chip (SoC, en inglés), que permite saltar limitaciones de rendimiento o reducir el consumo energético manteniendo un flujo de corriente alto.

   El diseño se ha presentado el marco de la feria 'International Electron Devices Meeting' (IEDM), que se celebra en San Francisco (Estados Unidos) y donde de forma anual las empresas del sector de los semiconductores comparten sus últimas innovaciones.

   Las dos compañías tecnológicas han aprovechado IEDM para presentar el diseño que han llamado 'Vertical Transport Field Effect Transistors' (VTFET), es decir, un diseño que apila los transistores de un chip en perpendicular para que la corriente eléctrica fluya de forma vertical, como informan en Engadget.

   Este diseño difiere del actual, por el que se apilan los transistores sobre chip, en horizontal, para que la corriente fluya de lado a lado. La ventaja del nuevo diseño permite ir más allá de la Ley Moore, que establece que cada dos años deben duplicarse los transistores de un circuito integrado, lo que con el tiempo ha permitido tener ordenador más potentes al tiempo que más pequeños y económicos.

   Según indican en el medio citado, al ir más allá de la Ley Moore, VTFET permite saltar algunas limitaciones de rendimiento, pero también reducir el consumo energético con un mayor flujo de corriente eléctrica.

   Según las dos compañías, los chips con diseño VTFET podrán ser dos veces más rápidos o reducir el consumo energético en un 85 por ciento respecto a FinFET. De forma más simple, podrían dar lugar a teléfonos con autonomía para aguantar una semana completa con una sola carga.

   No obstante, y según han matizado desde Samsung, el diseño podría ofrecer mejoras "extremas" bien en el rendimiento bien en la autonomía de la batería, pero no en ambos casos. Sí ayudará a la compañía surcoreana a superar su tecnología de nanohojas existente, aunque no necesariamente caminar hacia chips más densos de 1 nanómetro.